Исследователи из Стэнфордского университета совершили прорыв в разработке гибкой электроники. Созданная ими технология переноса одноатомных полупроводников из дисульфида молибдена на гибкую основу позволила получить гибкие транзисторы толщиной всего 5 микрон.
Обычно процесс производства полупроводников для гибких микросхем слишком теплоемкие для материалов основы, поэтому ученые придумали новый поэтапный способ переноса транзисторов на гибкую основу. Они изготовили твердую основу из кремния, покрытого стеклом, и нанесли на нее сверхтонкий слой дисульфида молибдена и нанопаттерн из золота методом осаждения. Как только основа остыла, ее поместили в ванну с деионизированной водой, где полупроводник отслоился от стекла, после чего его без повреждений перенесли на гибкий полиимид.
Благодаря уменьшению размеров транзистора, теперь у ученых получится разместить на гибком устройстве больше элементов. Также вырастет его энергоэффективность, ведь новые транзисторы могут пропускать большой ток при малом напряжении.
