Компания Samsung изготовила первый образец 16-слойного стека памяти HBM.
Образец работал нормально, но пока что компания не собирается запускать такие чипы в массовое производство. Судя по всему, массовыми такие стеки станут уже с выходом HBM4, а до этого ещё минимум два года.
Возможность создания такого большого стека появилась благодаря технологии гибридного соединения, которое Samsung смогла задействовать для всех слоёв. Гибридное соединение может быть более выгодным, поскольку оно позволяет добавлять больше слоёв без необходимости использования сквозных кремниевых переходов.
