3-нм процессоры Samsung: на 30% мощнее при том же энергопотреблении
В отличие от предыдущего поколения (5-нм) на базе архитектуры FinFET, новинка получила дизайн MBCFET с применением нанолистов для создания транзисторов. Благодаря этому чипы при меньшей на 35% площади демонстрируют повышенную на 30% производительность при том же энергопотреблении или пониженное на 50% энергопотребление при той же производительности.
При этом Samsung планирует выпустить полупроводники по технологии GAA в двух версиях: с низким энергопотреблением — 3GAE, которая поступит в массовое производство в начале 2022 года, и высокопроизводительный вариант 3GAP с запуском годом позже, в 2023-м. Что касается дорожной карты выхода новых микросхем, выполненных по 2-нм техпроцессу, 2GAP на базе MBCFET, они будут запущены в массовое производство в 2025 году.
Примечательно, что
TSMC планирует выпуск полупроводников с 2-нанометровыми транзисторами уже в 2024 году.
🅂🄺🅈🄽🄴🅃
