Участники рынка. Тренды. SiC BYD инвестирует в производителя | RUSmicro
Участники рынка. Тренды. SiC
BYD инвестирует в производителя эпитаксиальных пластин SiC
Вслед за Huawei, BYD стала совладельцем китайской компании Tianya Semiconductor. Инвестиции в технологию SiC отражают рост спроса на электромобили на фоне нехватки микросхем, необходимых для производства EV.
Компания Tianya, основанная в 2009 году, расположена в городе Дунгуань на юге Китая. Компания занимается исследованиями и разработками, а также производством и продажей эпитаксиальных пластин SiC третьего поколения. Компания получила сертификат качества IATF 16949, необходимый всем, кто работает на рынке автоэлектроники.
Компания начала массовый выпуск эпитаксиальных пластин SiC 6 дюймов (150 мм), а сейчас готовится к запуску в производство пластин SiC 8 дюймов (200 мм). В апреле 2022 года компания начала сооружать новую производственную линию с годовой производительностью в 1 млн эпитаксиальных пластин SiC 6 и 8 дюймов. Запуск линии запланирован на 2025 год, ожидаемая доходность на старте составит 870 млн юаней в год, а в период 2028-2031 компания надеется выйти на уровень доходов в 8-11 млрд юаней в год.
По данным Национального бюро статистики Китая, в апреле 2022 в Китае было произведено 330 тысяч электромобилей, что на 42% больше, чем годом ранее. В период с января по апрель в стране было произведено 1,68 млн электромобилей, что на 112,7% больше, чем годом ранее.
В 2020 году BYD Han — полноприводный электрический седан стал первым EV в Китае, в котором используется модуль SiC собственной разработки BYD. В конце 2020 года компания объявила, что к 2023 году будет разрабатывать собственные микросхемы SiC для замены кремниевых IGBT.
В других странах движутся параллельным курсом. Bosch начала массовое производство автомобильных силовых полупроводников на базе SiC в декабре 2020 года. Компания располагает чистой комнатой площадью 1000 кв.м на заводе по производству пластин в Ройтлингене, Германия. Также компания планирует построить чистую комнату площадью 3000 кв.м для производства полупроводников SiC в конце 2023 года. В ней первоначально поставят оборудование для работы с пластинами 150 мм, а позднее — для 200 мм.
В апреле 2021 года JAC Motors и Bosh Powertrain Solutions China подписали в Шанхае стратегическое соглашение о совместной разработке инверторов на базе SiC. В августе 2021 года Geely объявила, что будет использовать силовые решения Rohm SiC для разработки высокоэффективной электрической системы управления и системы зарядки в автомобиле, чтобы повысить запас хода, снизить стоимость аккумуляторной батареи и сократить время зарядки.
Li Auto и производитель светодиодных чипов Sanan Optoelectronics в мае 2022 года создали совместное предприятие Sike Semiconductor в Сучжоу, которое будет заниматься исследованиями и разработками SiC-чипов для контроллеров двигателей пассажирских электромобилей.
Изделиями на базе SiC, кроме перечисленных выше компаний, занимаются такие участники рынка, как II-VI, onsemi и Wolfspeed, США; Foxconn, Тайвань; Bosch и Infineon, Германия; Rohm, Япония; Soitec, Франция; STMicroelectronics, Швейцария; Hunan Sanan и TankeBlue, Китай. Список, конечно, не полный. Идут также эксперименты с технологиями GaN on SiC и другими. Внимание к карбиду кремния продиктовано рядом свойств этого материала — в несколько раз более широкой запрещенной зоной, высокими допустимыми рабочими температурами, в разы большей теплопроводностью, чем у кремния, и так далее.
В 2021 году компания Yole, занимающаяся маркетингом и консультациями, прогнозировала, что рынок силовых изделий на базе SiC в период до 2025 года будет расти со среднегодовыми темпами в 30% к показателю в более, чем $2,5 млрд, причем на рынок производства электромобилей придется $1,5 млрд от этой суммы.
