Перспективные полупроводники. Участники рынка Тайвань сталкив | RUSmicro
Перспективные полупроводники. Участники рынка
Тайвань сталкивается с проблемами на рынке перспективных полупроводников
Тайваньские производители сталкиваются с проблемами при попытке внедрения SiC- и GaN-узлов, сообщает DigiTimes Asia.
В целом в мире стал трендом переход на карбид кремния и другие полупроводниковых материалов "третьего поколения", например, на GaN или Ga2O3 в узлах для электромобилей (EV) и в устройствах управления электропитанием. Тайваньские производители сталкиваются с проблемами на этом пути.
В частности, Tesla использует в электромобилях модули SiC компании STMicroelectronics, а производители телефонов все чаще внедряют приборы на основе GaN в зарядные устройства.
Что касается устройств SiC, по оценкам одного из участников рынка, более 40% поставок подложек SiC выполняет Wolfspeed, а патенты на технологию SiC MOSFET контролируют Infineon и Rohm, что затрудняет выход в этот сегмент тайваньским производителя.
У производителей с Тайваня остается возможность выпускать традиционные планарные SiC MOSFET, поскольку сроки действия патентов на эту технологию уже вышли. Это требует применения пластин большего размера, что негативно влияет на эффективность работы устройства и его возможности рассеивания тепла.
Спрос на комплексные полупроводниковые модули и узлы на их основе выше, чем на дискретные устройства. При этом тайваньским производителям придется научиться одновременно конкурировать и сотрудничать с глобальными IDM, держателями соответствующих патентов. Кроме того, непростой задачей является разработка корпусов, которые не снижали бы предельные показатели полупроводниковых устройств, чтобы выпускаемые на Тайване приборы, не уступали бы продуктам производителей, которые освоили их выпуск ранее.
В целом сейчас перед отраслью стоит задача повышения удельной мощности полупроводниковых устройств за счет снижения размеров микросхем и улучшения показателей устройств по части дальнейшей минимизации создаваемых ими электромагнитных помех.
