Samsung представила модуль памяти DDR5 на 512 ГБ на одной планкеНа планке памяти расположены 40 8-ми слойных модулей DDR5 с плотностью 16Гбит и объемом 16 ГБ. Чипы памяти объединены между собой с помощью технологии объемной компоновки с межслойными соединениями.
Samsung заявила, что DDR5 работает в два раза быстрее, чем память DDR4, а ее энергопотребление на 13% эффективнее. Память DDR5 обеспечивает скорость передачи данных с одного пина до 7200 Мбит/с.
Фактически, при использовании с новыми серверными процессорами с восемью каналами памяти и двумя модулями DIMM на канал, новые модули памяти Samsung емкостью 512 ГБ позволяют оснастить каждый процессор до 8 ТБ памяти DDR5. Это в два раза больше, чем возможно сейчас — до 4 ТБ.
@proupnews
