Исследователи из Университета Цинхуа в Пекине разработали Flex | IT сфера * Компьютеры * Технологии

Исследователи из Университета Цинхуа в Пекине разработали FlexRAM - первую полностью гибкую резистивную RAM-память, созданную с использованием жидкого металла.

Инновационный подход заключается в том, что капли жидкого металла на основе галлия помещаются в мягкий биополимерный материал.

Подача импульсов напряжения окисляет или уменьшает металл, имитируя поляризацию нейронов. Это позволяет осуществлять обратимое переключение между состояниями высокого и низкого сопротивления, соответствующими битам 1 и 0 для хранения данных.

Даже при выключении питания данные сохраняются в инертной жидкости в течение 43 200 секунд (или 12 часов).

Текущий прототип FlexRAM состоит из 8 независимых 1-битных блоков памяти, хранящих в общей сложности 1 байт. Он продемонстрировал более 3 500 циклов записи, хотя для практического использования необходимо дальнейшее повышение выносливости.

Коммерческая оперативная память рассчитана на миллионы циклов чтения/записи.

Металлические капли миллиметрового размера со временем могут достичь нанометровых размеров, что значительно увеличит плотность памяти.

FlexRAM - это прорыв в области схем и электроники, которые могут свободно гнуться и сгибаться.

Исследователи предполагают, что они найдут применение в мягкой робототехнике, медицинских имплантатах и гибких носимых устройствах.

Совместимость с растягивающимися подложками открывает огромный потенциал для новых технологий.

Пока FlexRAM находится на ранних концептуальных стадиях, она доказывает, что инновации в области вычислений и памяти, которые раньше считались невозможными или причудливыми, могут стать реальностью благодаря неустанному научному творчеству.

Она присоединяется к волне новаторских исследований в области гибкой электроники, достигающей большей гибкости, чем позволяет жесткий кремний.

До того как FlexRAM и жидкая электроника смогут изменить вычислительную технику, еще предстоит решить ряд проблем.

Но, доказав возможность создания устройства памяти в жидком состоянии, технология движется к радикально иному будущему для электроники и вычислений.

Привет, T-1000!