IBM и Samsung сообщили о прорыве в проектировании полупроводниковых микросхем. Новая технология должна сделать их производительнее вдвое или сэкономить 85% энергии при прежней производительности.
Секрет в многослойной конструкции чипов: транзисторы в них располагаются частично параллельно, частично — перпендикулярно друг другу, а ток идет сквозь них вертикально. Это отличает их от других современных моделей, где транзисторы лежат на поверхности кремния, а электрический ток течет из стороны в сторону. Ученые назвали новую конструкцию VTFET — вертикальные транспортные полевые транзисторы.
Инженеры заверяют, что смартфоны с микрочипом VTFET смогут работать без подзарядки целую неделю. Также они считают, что новой технологией заинтересуются майнеры криптовалюты — благодаря VTFET добыча криптовалюты станет не только более энергоэффективным, но и экологичным процессом. А в будущем такая технология позволит даже раздвинуть рамки закона Мура и создавать чипы, о которых мы пока можем только мечтать.
